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元件参数资料
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参数目录41168
> HUFA75309D3S MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
型号:
HUFA75309D3S
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
HUFA75309D3S PDF
标准包装
1,800
系列
UltraFET™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
70 毫欧 @ 19A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
24nC @ 20V
输入电容 (Ciss) @ Vds
350pF @ 25V
功率 - 最大
55W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装
D-Pak
包装
管件
查看HUFA75309D3S代理商
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